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Polo Lacoste Pas Cher par un procédé de dispersion hybride

Polo Lacoste Pas Cher

Nano-échelle In2O3, mélange de poudres de ZnO et de Ga2O3 préparé par un procédé de dispersion hybride de broyage mécanique et chimique a été adopté pour l'In-Ga-Zn-O (IGZO) fabrication de pulvérisation de la cible. Un Polo Lacoste Pas Cher frittage sans pression à 1300 u0026 nbsp; ° C pendant 6 u0026 nbsp; h céda la cible contenant seule phase de InGaZnO4 avec Destockage Ralph Lauren Belgique densité relative aussi élevé que 93%. Par conséquent, le transistor à couche mince (TFT) appareils contenant des canaux de IGZO amorphes ont été préparés en utilisant la cible de l'auto-prêts et les mesures électriques indiqué le TFT soumis à un poste recuit à 300 u0026 nbsp; ° C présente la meilleure performance de l'appareil avec la mobilité de saturation u0026 nbsp ; = u0026 nbsp; 14,7 u0026 nbsp; cm2 / V u0026 nbsp; s, tension de seuil u0026 nbsp; = u0026 nbsp; 0,57 u0026 nbsp; V, sous le seuil porte Swing u0026 nbsp; = u0026 nbsp; 0,45 u0026 nbsp; V / décennie et rapport marche / arrêt u0026 nbsp; = u0026 nbsp; 108. Capacité de mesure de tension a indiqué que d'après recuit supprime efficacement la densité de pièges interfaciale à l'interface IGZO / SiO2 et améliore ainsi la performance électrique de TFT.
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